彭湃新闻记者从相干方面获悉，我国第一颗直拉硅单晶的重要研制者之1、南开年夜学电子信息与光学工程学院丁守谦传授，在2026年9月5日于天津逝世，享年97岁。

丁守谦，1930年出生在湖南攸县，九三学社社员，南开年夜学电子科学系传授，美国SID学会理事、中国电子学会会士。丁守谦1953年北京年夜学物理系本科卒业，1956年北京年夜学物理系研究生卒业，后被分配到南开年夜学物理系任助教。1958年调任天津703厂（现中电科46所）技能员。

丁守谦1973年调回南开年夜学电子科学系任讲师，1985年作为拜候学者，于西德图屏根年夜学运用物理研究所与闻名电子光学专家弗 棱茨（F Lenz）传授举行互助研究。1986年提升为传授。1989年获国度发现二等奖。

1958年，丁守谦带领了提拉硅单晶和测试，并在1959年9月15日拉制出我国第一颗硅单晶，敲开了我国通往信息时代的年夜门。该结果既满意了其时国度对于信息硅质料的庞大战略需求，迅速缩短了我国与泰西的技能差距；也为我国半导体事业以致现今信息时代的集成电路及将来低碳时代的太阳能光伏发电技能奠基了坚实的质料基础。

丁守谦深耕半导体与显示技能范畴，创立“非近轴光学”理论，拓展高斯近轴光学，霸占多项科研难题，发表论文80余篇，出书多本专著，担当多个学术杂志编委及专业学会、同盟参谋或者专家委员。1989年起，丁守谦受国度有关方面委托，面向海内财产界举办多届企业带领培训班，被尊称为中国偏转线圈的“开山始祖”。上世纪九十年月，丁守谦解除诸多坚苦，鞭策开办国际信息显示学会（SID）北京分会并担当第1、二届理事长，为中国信息显示行业站上世界舞台作出主要孝敬。

二十一世纪初，丁守谦为保住中国3G制式，实现3G追逐、4G齐头并进、5G遥遥领先起到了至关主要的作用，被尊称为“TD三剑客”之一。